Bahan – Seramik

♦Alumina(Al2O3)

Bahagian seramik jitu yang dihasilkan oleh ZhongHui Intelligent Manufacturing Group (ZHHIMG) boleh diperbuat daripada bahan mentah seramik berketulenan tinggi, 92~97% alumina, 99.5% alumina, >99.9% alumina, dan pengepresan isostatik sejuk CIP. Sintering suhu tinggi dan pemesinan jitu, ketepatan dimensi ± 0.001mm, kelancaran sehingga Ra0.1, menggunakan suhu sehingga 1600 darjah. Pelbagai warna seramik boleh dibuat mengikut keperluan pelanggan, seperti: hitam, putih, kuning air, merah gelap, dll. Bahagian seramik jitu yang dihasilkan oleh syarikat kami tahan terhadap suhu tinggi, kakisan, haus dan penebat, dan boleh digunakan untuk masa yang lama dalam persekitaran suhu tinggi, vakum dan gas yang menghakis.

Digunakan secara meluas dalam pelbagai peralatan pengeluaran semikonduktor: Kerangka (pendakap seramik), Substrat (tapak), Lengan/Jambatan (manipulator), Komponen Mekanikal dan Galas Udara Seramik.

AL2O3

Nama Produk Tiub/Paip/Rod Seramik Segiempat Pusingan Tinggi Alumina 99
Indeks Unit 85% Al2O3 95% Al2O3 99% Al2O3 99.5% Al2O3
Ketumpatan g/cm3 3.3 3.65 3.8 3.9
Penyerapan Air % <0.1 <0.1 0 0
Suhu Sintered 1620 1650 1800 1800
Kekerasan Mohs 7 9 9 9
Kekuatan Lenturan (20 ℃)) Mpa 200 300 340 360
Kekuatan Mampatan Kgf/cm2 10000 25000 30000 30000
Suhu Kerja Lama 1350 1400 1600 1650
Suhu Kerja Maks. 1450 1600 1800 1800
Kerintangan Isipadu 20℃ Ω. cm3 >1013 >1013 >1013 >1013
100℃ 1012-1013 1012-1013 1012-1013 1012-1013
300℃ >109 >1010 >1012 >1012

Penggunaan seramik alumina ketulenan tinggi:
1. Digunakan untuk peralatan semikonduktor: chuck vakum seramik, cakera pemotong, cakera pembersih, CHUCK seramik.
2. Bahagian pemindahan wafer: chuck pengendalian wafer, cakera pemotong wafer, cakera pembersih wafer, cawan sedutan pemeriksaan optik wafer.
3. Industri paparan panel rata LED / LCD: muncung seramik, cakera pengisaran seramik, PIN ANGKAT, rel PIN.
4. Komunikasi optik, industri solar: tiub seramik, rod seramik, pengikis seramik percetakan skrin papan litar.
5. Bahagian tahan haba dan penebat elektrik: galas seramik.
Pada masa ini, seramik aluminium oksida boleh dibahagikan kepada seramik ketulenan tinggi dan seramik biasa. Siri seramik aluminium oksida ketulenan tinggi merujuk kepada bahan seramik yang mengandungi lebih daripada 99.9% Al₂O₃. Disebabkan suhu pensinterannya sehingga 1650 - 1990°C dan panjang gelombang penghantarannya 1 ~ 6μm, ia biasanya diproses menjadi kaca terlakur dan bukannya mangkuk pijar platinum: yang boleh digunakan sebagai tiub natrium kerana transmisi cahaya dan rintangan kakisannya terhadap logam alkali. Dalam industri elektronik, ia boleh digunakan sebagai bahan penebat frekuensi tinggi untuk substrat IC. Mengikut kandungan aluminium oksida yang berbeza, siri seramik aluminium oksida biasa boleh dibahagikan kepada 99 seramik, 95 seramik, 90 seramik dan 85 seramik. Kadangkala, seramik dengan 80% atau 75% aluminium oksida juga dikelaskan sebagai siri seramik aluminium oksida biasa. Antaranya, bahan seramik aluminium oksida 99 digunakan untuk menghasilkan tiub relau kalis api, mangkuk pijar suhu tinggi dan bahan tahan haus khas, seperti galas seramik, pengedap seramik dan plat injap. Seramik aluminium 95 digunakan terutamanya sebagai bahagian tahan haus yang tahan kakisan. Seramik 85 sering dicampurkan dalam beberapa sifat, sekali gus meningkatkan prestasi elektrik dan kekuatan mekanikal. Ia boleh menggunakan molibdenum, niobium, tantalum dan pengedap logam lain, dan ada yang digunakan sebagai peranti vakum elektrik.

 

Item Berkualiti (Nilai Perwakilan) Nama Produk AES-12 AES-11 AES-11C AES-11F AES-22S AES-23 AL-31-03
Komposisi Kimia Produk Sintering Mudah Natrium Rendah H₂O % 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
LOl % 0.1 0.2 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
Fe₂0₃ % 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01
SiO₂ % 0.03 0.03 0.03 0.03 0.02 0.04 0.04
Na₂O % 0.04 0.04 0.04 0.04 0.02 0.04 0.03
MgO* % - 0.11 0.05 0.05 - - -
Al₂0₃ % 99.9 99.9 99.9 99.9 99.9 99.9 99.9
Diameter Zarah Sederhana (MT-3300, kaedah analisis laser) μm 0.44 0.43 0.39 0.47 1.1 2.2 3
Saiz Kristal α μm 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 ~ 1.0 0.3 ~ 4 0.3 ~ 4
Ketumpatan Pembentukan** g/cm³ 2.22 2.22 2.2 2.17 2.35 2.57 2.56
Ketumpatan Sintering** g/cm³ 3.88 3.93 3.94 3.93 3.88 3.77 3.22
Kadar Pengecutan Talian Sintering** % 17 17 18 18 15 12 7

* MgO tidak termasuk dalam pengiraan ketulenan Al₂O₃.
* Tiada serbuk penskalaan 29.4MPa (300kg/cm²), suhu pensinteran ialah 1600°C.
AES-11 / 11C / 11F: Tambah 0.05 ~ 0.1% MgO, kebolehsinterannya sangat baik, jadi ia boleh digunakan untuk seramik aluminium oksida dengan ketulenan lebih daripada 99%.
AES-22S: Dicirikan oleh ketumpatan pembentukan yang tinggi dan kadar pengecutan garisan pensinteran yang rendah, ia sesuai untuk tuangan bentuk gelincir dan produk berskala besar lain dengan ketepatan dimensi yang diperlukan.
AES-23 / AES-31-03: Ia mempunyai ketumpatan pembentukan, tiksotropi dan kelikatan yang lebih rendah daripada AES-22S. AES-22S digunakan untuk seramik manakala AES-22S digunakan sebagai pengurang air untuk bahan kalis api, dan ini semakin popular.

♦Ciri-ciri Silikon Karbida (SiC)

Ciri-ciri Umum Ketulenan komponen utama (wt%) 97
Warna Hitam
Ketumpatan (g/cm³) 3.1
Penyerapan air (%) 0
Ciri-ciri Mekanikal Kekuatan lenturan (MPa) 400
Modulus muda (GPa) 400
Kekerasan Vickers (GPa) 20
Ciri-ciri Terma Suhu operasi maksimum (°C) 1600
Pekali pengembangan haba RT~500°C 3.9
(1/°C x 10-6) RT~800°C 4.3
Kekonduksian terma (W/m x K) 130 110
Rintangan kejutan haba ΔT (°C) 300
Ciri-ciri Elektrik Kerintangan isipadu 25°C 3 x 106
300°C -
500°C -
800°C -
Pemalar dielektrik 10GHz -
Kerugian dielektrik (x 10-4) -
Faktor Q (x 104) -
Voltan kerosakan dielektrik (KV/mm) -

20200507170353_55726

♦Seramik Silikon Nitrida

Bahan Unit Si₃N₄
Kaedah Sintering - Tekanan Gas Disinter
Ketumpatan g/cm³ 3.22
Warna - Kelabu Gelap
Kadar Penyerapan Air % 0
Modulus Muda PNGK 290
Kekerasan Vickers PNGK 18 - 20
Kekuatan Mampatan Mpa 2200
Kekuatan Lenturan Mpa 650
Kekonduksian Terma W/mK 25
Rintangan Kejutan Terma Δ (°C) 450 - 650
Suhu Operasi Maksimum °C 1200
Kerintangan Isipadu Ω·cm > 10 ^ 14
Pemalar Dielektrik - 8.2
Kekuatan Dielektrik kV/mm 16